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高光提取效率氮化镓基发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN101937958B, 申请日期: 2012-09-19, 公开日期: 2012-09-19
发明人:  林素慧;  何安和;  彭康伟;  刘传桂
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基于量子点-量子阱混合结构的锁模半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102593720A, 申请日期: 2012-07-18, 公开日期: 2012-07-18
发明人:  苏辉
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基于多模干涉结构的高功率单纵横模半导体激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN202308774U, 申请日期: 2012-07-04, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  苏辉
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宽温度超高速半导体直调DFB激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN202178497U, 申请日期: 2012-03-28, 公开日期: 2012-03-28
发明人:  苏辉
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宽温度超高速半导体直调DFB激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN202178497U, 申请日期: 2012-03-28, 公开日期: 2012-03-28
发明人:  苏辉
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