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砷化镓衬底上的混合并质外延 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN91100620.6, 申请日期: 1991-07-17, 公开日期: 1991-07-17
发明人:  李晋闽
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场助红外半导体光电阴极的研究 学位论文
: 中国科学院西安光学精密机械研究所., 1990
作者:  李晋闽
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