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含有空穴阻挡层的锑化镓基2‑4μm量子阱激光器结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106099643A, 申请日期: 2016-11-09, 公开日期: 2016-11-09
发明人:  于春满;  朱海军;  张兴
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