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硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1725445A, 申请日期: 2006-01-25, 公开日期: 2006-01-25
发明人:  冯玉春;  郭宝平;  牛憨笨;  李忠辉
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