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利用掺杂技术减薄高亮度发光二极管芯片窗口层的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1149686C, 申请日期: 2004-05-12, 公开日期: 2004-05-12
发明人:  黄柏标;  张兆春;  于永芹;  崔得良;  秦晓燕;  潘教青
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一种用氧化锌作为高亮度发光二极管芯片窗口层的生长方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1149685C, 申请日期: 2004-05-12, 公开日期: 2004-05-12
发明人:  黄柏标;  张兆春;  于永芹;  崔得良;  秦晓燕;  潘教青
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