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中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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半导体激光器专利数... [48]
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专题:半导体激光器专利数据库
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Application-oriented nitride substrates for epitaxial growth of electronic and optoelectronic device structures
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8699537, 申请日期: 2014-04-15, 公开日期: 2014-04-15
发明人:
SHARMA, TARUN KUMAR
;
TOWE, ELIAS
Adobe PDF(849Kb)
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2019/12/26
Method of forming a group III-nitride crystalline film on a patterned substrate by hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8507304, 申请日期: 2013-08-13, 公开日期: 2013-08-13
发明人:
KRYLIOUK, OLGA
;
MELNIK, YURIY
;
KOJIRI, HIDEHIRO
;
ISHIKAWA, TETSUYA
Adobe PDF(686Kb)
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2019/12/24
Passivated semiconductor surfaces
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8369371, 申请日期: 2013-02-05, 公开日期: 2013-02-05
发明人:
CHIN, ALAND K.
;
CHOW, PETER
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2019/12/24
Vicinal semipolar iii-nitride substrates to compensate tilt of relaxed hetero-epitaxial layers
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: WO2012058262A3, 申请日期: 2012-06-21, 公开日期: 2012-06-21
发明人:
SPECK, JAMES S.
;
TYAGI, ANURAG
;
ROMANOV, ALEXEY E.
;
NAKAMURA, SHUJI
;
DENBAARS, STEVEN P.
Adobe PDF(324Kb)
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2019/12/31
Group III nitride compound semiconductor on silicon and an epitaxial method of manufacturing the same
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: EP1054442B1, 申请日期: 2011-11-30, 公开日期: 2011-11-30
发明人:
KOIDE, NORIKATSU
;
KATO, HISAKI
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浏览/下载:53/0
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提交时间:2019/12/26
Fabrication method for algainnpassb based devices
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: USR41336, 申请日期: 2010-05-18, 公开日期: 2010-05-18
发明人:
KONDOW, MASAHIKO
;
UOMI, KAZUHISA
;
NAKAMURA, HITOSHI
Adobe PDF(186Kb)
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor Saturable Absorber Reflector and Method to Fabricate Thereof
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20090296767A1, 申请日期: 2009-12-03, 公开日期: 2009-12-03
发明人:
OKHOTNIKOV, OLEG
;
GUINA, MIRCEA
;
GRUDININ, ANATOLY B.
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浏览/下载:59/0
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提交时间:2019/12/31
Conductive element with lateral oxidation barrier
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1986295A2, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2008-10-29
发明人:
JEWELL, JACK L.
Adobe PDF(565Kb)
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2019/12/31
Nitride semiconductor laser device
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7327770, 申请日期: 2008-02-05, 公开日期: 2008-02-05
发明人:
RYOWA, TATSUYA
;
ISHIDA, MASAYA
;
MORISHITA, YUKIKO
;
KAMIKAWA, TAKESHI
;
MOTOKI, KENSAKU
Adobe PDF(158Kb)
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2019/12/24
Optoelektronische Halbleiteranordnung auf Basis einer Nitridverbindung der Gruppe III
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: DE69838313D1, 申请日期: 2007-10-11, 公开日期: 2007-10-11
发明人:
DUGGAN GOEFFREY
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提交时间:2019/12/26