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Application-oriented nitride substrates for epitaxial growth of electronic and optoelectronic device structures 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8699537, 申请日期: 2014-04-15, 公开日期: 2014-04-15
发明人:  SHARMA, TARUN KUMAR;  TOWE, ELIAS
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Method of forming a group III-nitride crystalline film on a patterned substrate by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8507304, 申请日期: 2013-08-13, 公开日期: 2013-08-13
发明人:  KRYLIOUK, OLGA;  MELNIK, YURIY;  KOJIRI, HIDEHIRO;  ISHIKAWA, TETSUYA
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Passivated semiconductor surfaces 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8369371, 申请日期: 2013-02-05, 公开日期: 2013-02-05
发明人:  CHIN, ALAND K.;  CHOW, PETER
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Vicinal semipolar iii-nitride substrates to compensate tilt of relaxed hetero-epitaxial layers 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: WO2012058262A3, 申请日期: 2012-06-21, 公开日期: 2012-06-21
发明人:  SPECK, JAMES S.;  TYAGI, ANURAG;  ROMANOV, ALEXEY E.;  NAKAMURA, SHUJI;  DENBAARS, STEVEN P.
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Group III nitride compound semiconductor on silicon and an epitaxial method of manufacturing the same 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: EP1054442B1, 申请日期: 2011-11-30, 公开日期: 2011-11-30
发明人:  KOIDE, NORIKATSU;  KATO, HISAKI
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Fabrication method for algainnpassb based devices 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: USR41336, 申请日期: 2010-05-18, 公开日期: 2010-05-18
发明人:  KONDOW, MASAHIKO;  UOMI, KAZUHISA;  NAKAMURA, HITOSHI
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Semiconductor Saturable Absorber Reflector and Method to Fabricate Thereof 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20090296767A1, 申请日期: 2009-12-03, 公开日期: 2009-12-03
发明人:  OKHOTNIKOV, OLEG;  GUINA, MIRCEA;  GRUDININ, ANATOLY B.
收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2019/12/31
Conductive element with lateral oxidation barrier 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1986295A2, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2008-10-29
发明人:  JEWELL, JACK L.
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Nitride semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7327770, 申请日期: 2008-02-05, 公开日期: 2008-02-05
发明人:  RYOWA, TATSUYA;  ISHIDA, MASAYA;  MORISHITA, YUKIKO;  KAMIKAWA, TAKESHI;  MOTOKI, KENSAKU
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Optoelektronische Halbleiteranordnung auf Basis einer Nitridverbindung der Gruppe III 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: DE69838313D1, 申请日期: 2007-10-11, 公开日期: 2007-10-11
发明人:  DUGGAN GOEFFREY
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