中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Planarization of GaN by photoresist technique using an inductively coupled plasma 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8257987, 申请日期: 2012-09-04, 公开日期: 2012-09-04
发明人:  MOUSTAKAS, THEODORE D.;  WILLIAMS, ADRIAN D.
Adobe PDF(364Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2019/12/24