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Resonant cavity strained Group III-V photodetector and LED on silicon substrate and method to fabricate same 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US10135226, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2018-11-20
发明人:  CHENG, CHENG-WEI;  LEOBANDUNG, EFFENDI;  LI, NING;  SADANA, DEVENDRA K.;  SHIU, KUEN-TING
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