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一种半导体可饱和吸收镜锁模的高功率Yb:YAG薄片激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104852275A, 申请日期: 2015-08-19, 公开日期: 2015-08-19
发明人:  魏志义;  彭英楠;  田文龙;  朱江峰
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