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基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102570305B, 申请日期: 2013-04-17, 公开日期: 2013-04-17
发明人:  周旭亮;  于红艳;  潘教青;  赵玲娟;  王圩
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采用选区生长有源区的硅基850nm激光器的制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102570309B, 申请日期: 2013-04-17, 公开日期: 2013-04-17
发明人:  周旭亮;  于红艳;  潘教青;  王圩
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硅基取样光栅多波长混合激光器阵列的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102957095A, 申请日期: 2013-03-06, 公开日期: 2013-03-06
发明人:  袁丽君;  于红艳;  周旭亮;  王火雷;  潘教青
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制备硅基InGaAsP为有源区的1550nm激光器的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102545054B, 申请日期: 2013-02-06, 公开日期: 2013-02-06
发明人:  周旭亮;  于红艳;  王伟;  潘教青;  王圩
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改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光器阵列的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102882129A, 申请日期: 2013-01-16, 公开日期: 2013-01-16
发明人:  袁丽君;  于红艳;  周旭亮;  王火雷;  潘教青
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