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Selectively Si-doped InAs/A1AsSb short-period-superlattices as N-type cladding layers for mid-IR laser structures grown on InAs substrates 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5594750, 申请日期: 1997-01-14, 公开日期: 1997-01-14
发明人:  ZHANG, YONG H.;  CHOW, DAVID H.
Adobe PDF(153Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/12/26