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Method of manufacturing an optical semiconductor device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5854087, 申请日期: 1998-12-29, 公开日期: 1998-12-29
发明人:  KURATA, KAZUHIKO
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面発光型半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2864258B2, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1999-03-03
发明人:  古沢 浩太郎;  茨木 晃;  川島 健児;  石川 徹
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歪量子井戸型半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2861166B2, 申请日期: 1998-12-11, 公开日期: 1999-02-24
发明人:  石川 信
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発光素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2834757B2, 申请日期: 1998-10-02, 公开日期: 1998-12-14
发明人:  明利 敏巳
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結晶成長方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2828979B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25
发明人:  近藤 正彦;  皆川 重量;  梶村 俊
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다층 화합물 반도체의 양자 세선 구조 및 그 형성 방법 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: KR1019980045996A, 申请日期: 1998-09-15, 公开日期: 1998-09-15
发明人:  KANG, JUN MO
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多波長半導体レーザダイオード 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2819160B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-10-30
发明人:  宮澤 丈夫;  永沼 充
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Blue light-emitting device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5798537, 申请日期: 1998-08-25, 公开日期: 1998-08-25
发明人:  NITTA, KOICHI
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2806533B2, 申请日期: 1998-07-24, 公开日期: 1998-09-30
发明人:  坂根 千登勢;  瀧口 治久;  工藤 裕章;  菅原 聰
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Semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5757835, 申请日期: 1998-05-26, 公开日期: 1998-05-26
发明人:  ONO, KENICHI;  TADA, HITOSHI
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