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Method to fabricate GaN-based vertical-cavity surface-emitting devices featuring silicon-diffusion defined current blocking layer 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20170104315A1, 申请日期: 2017-04-13, 公开日期: 2017-04-13
发明人:  YEH, PING-HUI;  YU, MENG-CHUN;  LIN, JIA-HUAN;  HUANG, CHING-CHIN
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