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Nitride semiconductor layer structure and a nitride semiconductor laser incorporating a portion of same 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6829273, 申请日期: 2004-12-07, 公开日期: 2004-12-07
发明人:  AMANO, HIROSHI;  AKASAKI, ISAMU;  KANEKO, YAWARA;  YAMADA, NORIHIDE;  TAKEUCHI, TETSUYA;  WATANABE, SATOSHI
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Semiconductor laser that generates second harmonic light with attached nonlinear crystal 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP0654874A1, 申请日期: 1995-05-24, 公开日期: 1995-05-24
发明人:  FOUQUET, JULIE E.;  YAMADA, NORIHIDE
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