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Lasers with quantum wells having high indium and low aluminum with barrier layers having high aluminum and low indium with reduced traps 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: WO2012125997A3, 申请日期: 2013-01-03, 公开日期: 2013-01-03
发明人:  JOHNSON, RALPH, H.;  TATUM, JIMMY, ALAN;  MACINNES, ANDREW, N.;  WADE, JEROME, K.;  GRAHAM, LUKE, A.
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