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Semiconductor laser device having monolithically formed active and passive cavities on the same substrate 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4899360, 申请日期: 1990-02-06, 公开日期: 1990-02-06
发明人:  FUJITA, TOSHIHIRO;  OHYA, JUN;  MATSUDA, KENICHI;  SERIZAWA, HIROYUKI
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Semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4794608, 申请日期: 1988-12-27, 公开日期: 1988-12-27
发明人:  FUJITA, TOSHIHIRO;  OHYA, JUN;  MATSUDA, KENICHI;  SERIZAWA, HIROYUKI
Adobe PDF(1096Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2020/01/13