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Group-III nitride semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8908732, 申请日期: 2014-12-09, 公开日期: 2014-12-09
发明人:  UENO, MASAKI;  KATAYAMA, KOJI;  IKEGAMI, TAKATOSHI;  NAKAMURA, TAKAO;  YANASHIMA, KATSUNORI;  NAKAJIMA, HIROSHI
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Method of forming p-type gallium nitride based semiconductor, method of forming nitride semiconductor device, and method of forming epitaxial wafer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8815621, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2014-08-26
发明人:  UENO, MASAKI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  NAKAMURA, TAKAO
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Method for producing nitride semiconductor optical device and epitaxial wafer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8183071, 申请日期: 2012-05-22, 公开日期: 2012-05-22
发明人:  AKITA, KATSUSHI;  ENYA, YOHEI;  KYONO, TAKASHI;  SUMITOMO, TAKAMICHI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  UENO, MASAKI;  NAKAMURA, TAKAO
收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2019/12/24
Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7933303, 申请日期: 2011-04-26, 公开日期: 2011-04-26
发明人:  YOSHIZUMI, YUSUKE;  ENYA, YOHEI;  KYONO, TAKASHI;  ADACHI, MASAHIRO;  AKITA, KATSUSHI;  UENO, MASAKI;  SUMITOMO, TAKAMICHI;  TOKUYAMA, SHINJI;  KATAYAMA, KOJI;  NAKAMURA, TAKAO;  IKEGAMI, TAKATOSHI
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Manufacture of semiconductor 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1987260314A, 申请日期: 1987-11-12, 公开日期: 1987-11-12
发明人:  KURODA TAKARO;  WATANABE AKISADA;  MIYAZAKI TAKAO;  NAKAMURA HITOSHI;  MATSUMURA HIROYOSHI
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Semiconductor laser device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1985239086A, 申请日期: 1985-11-27, 公开日期: 1985-11-27
发明人:  KOBAYASHI MASAYOSHI;  MORI TAKAO;  CHIBA KATSUAKI;  SATOU NOBU;  HIRAO MOTONAO;  NAKAMURA MICHIHARU
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Semiconductor laser device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1985060792A, 申请日期: 1985-04-08, 公开日期: 1985-04-08
发明人:  FUJISAKI YOSHIHISA;  MORI TAKAO;  HIRAO MOTONAO;  KAJIMURA TAKASHI;  NAKAMURA MICHIHARU
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Semiconductor laser device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1984210686A, 申请日期: 1984-11-29, 公开日期: 1984-11-29
发明人:  DOI KOUNEN;  HIRAO MOTONAO;  NAKAMURA MICHIHARU;  TSUJI SHINJI;  MORI TAKAO
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Semiconductor laser device and method of manufacturing the same 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: EP0039886B1, 申请日期: 1984-08-15, 公开日期: 1984-08-15
发明人:  MOTOHISA, HIRAO;  ATSUTOSHI, DOI;  MICHIHARU, NAKAMURA;  SHINJI, TSUJI;  TAKAO, MORI
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Semiconductor laser device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1984076492A, 申请日期: 1984-05-01, 公开日期: 1984-05-01
发明人:  TSUJI SHINJI;  MORI TAKAO;  DOI KOUNEN;  TAKEDA YUTAKA;  HIRAO MOTONAO;  NAKAMURA MICHIHARU
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