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Semiconductor laser element and semiconductor laser 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6999486, 申请日期: 2006-02-14, 公开日期: 2006-02-14
发明人:  KUNIYASU, TOSHIAKI;  HAYAKAWA, TOSHIRO;  FUKUNAGA, TOSHIAKI
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Semiconductor laser device in which near-edge portion of upper cladding layer is insulated for preventing current injection 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6901100, 申请日期: 2005-05-31, 公开日期: 2005-05-31
发明人:  MUKAIYAMA, AKIHIRO;  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  KUNIYASU, TOSHIAKI
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Semiconductor laser device with a current non-injection region near a resonator end face, and fabrication method thereof 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6888866, 申请日期: 2005-05-03, 公开日期: 2005-05-03
发明人:  KUNIYASU, TOSHIAKI;  YAMANAKA, FUSAO;  FUKUNAGA, TOSHIAKI
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Semiconductor light emitting device in which near-edge portion is filled with doped regrowth layer, and dopant to regrowth layer is diffused into near-edge region of active layer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6541291, 申请日期: 2003-04-01, 公开日期: 2003-04-01
发明人:  KUNIYASU, TOSHIAKI
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Semiconductor laser device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20020146051A1, 申请日期: 2002-10-10, 公开日期: 2002-10-10
发明人:  KUNIYASU, TOSHIAKI;  FUKUNAGA, TOSHIAKI
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