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| Selective buried growth of group iii-v compound semiconductor 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1989175727K1, 申请日期: 1989-07-12, 公开日期: 1989-07-12
发明人: KATOU YOSHITAKE
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| Selective buried growth of iii-v compound semiconductor 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1989175727A, 申请日期: 1989-07-12, 公开日期: 1989-07-12
发明人: KATOU YOSHITAKE
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| Buried-type semiconductor laser and manufacture of the same 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1989175792A, 申请日期: 1989-07-12, 公开日期: 1989-07-12
发明人: KATOU YOSHITAKE
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| Buried semiconductor laser and manufacture thereof 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1989050490A, 申请日期: 1989-02-27, 公开日期: 1989-02-27
发明人: KATOU YOSHITAKE; NISHIMOTO HIROYUKI
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| Manufacture of semiconductor integrated element 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1988311785A, 申请日期: 1988-12-20, 公开日期: 1988-12-20
发明人: KATOU YOSHITAKE
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| Optical integrated element 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1988311786A, 申请日期: 1988-12-20, 公开日期: 1988-12-20
发明人: MURATA SHIGERU; KATOU YOSHITAKE
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| Optical integrated element 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1988307794A, 申请日期: 1988-12-15, 公开日期: 1988-12-15
发明人: MURATA SHIGERU; KATOU YOSHITAKE
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| Manufacture of buried semiconductor laser 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1988226989A, 申请日期: 1988-09-21, 公开日期: 1988-09-21
发明人: KATOU YOSHITAKE
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| Semiconductor laser of buried structure 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1988178576A, 申请日期: 1988-07-22, 公开日期: 1988-07-22
发明人: KATOU YOSHITAKE
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| Manufacture of semiconductor laser having embedded structure 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1988079392A, 申请日期: 1988-04-09, 公开日期: 1988-04-09
发明人: KATOU YOSHITAKE
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