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Semiconductor light emitting device having quantum well layer sandwiched between carrier confinement layers 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20050145857A1, 申请日期: 2005-07-07, 公开日期: 2005-07-07
发明人:  MARUYAMA, TSUYOSHI;  ISHII, KAZUHISA;  SASAKURA, KEN;  TOMITA, SHOTARO;  KAWAGUCHI, KEIZO;  TOMIYOSHI, TOSHIO
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