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Semiconductor laser and manufacture thereof 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1989319981A, 申请日期: 1989-12-26, 公开日期: 1989-12-26
发明人:  FUKUZAWA TADASHI
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Semiconductor laser having a multiple quantum well structure doped with impurities 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4881235, 申请日期: 1989-11-14, 公开日期: 1989-11-14
发明人:  CHINONE, NAOKI;  UOMI, KAZUHISA;  FUKUZAWA, TADASHI;  MATSUEDA, HIDEAKI;  KAJIMURA, TAKASHI;  OHTOSHI, TSUKURU
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Semiconductor laser having quantum well active region doped with impurities 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4881238, 申请日期: 1989-11-14, 公开日期: 1989-11-14
发明人:  CHINONE, NAOKI;  UOMI, KAZUHISA;  FUKUZAWA, TADASHI;  MATSUEDA, HIDEAKI;  KAJIMURA, TAKASHI
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Manufacture of semiconductor structure 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1989232715A, 申请日期: 1989-09-18, 公开日期: 1989-09-18
发明人:  FUKUZAWA TADASHI;  ITO KAZUHIRO;  NAKAMURA HITOSHI;  MATSUDA HIROSHI
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Fabrication process of semiconductor lasers 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US4783425, 申请日期: 1988-11-08, 公开日期: 1988-11-08
发明人:  FUKUZAWA, TADASHI;  ONO, YUICHI;  NAKATSUKA, SHINICHI;  KAJIMURA, TAKASHI
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- 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1988047355B2, 申请日期: 1988-09-21, 公开日期: 1988-09-21
发明人:  KOBAYASHI KEISUKE;  NAKAJIMA HISAO;  WATANABE NOZOMI;  YAMASHITA MASATO;  FUKUZAWA TADASHI
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Manufacture of semiconductor fine structure 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1988155713A, 申请日期: 1988-06-28, 公开日期: 1988-06-28
发明人:  FUKUZAWA TADASHI
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Semiconductor device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1988124591A, 申请日期: 1988-05-28, 公开日期: 1988-05-28
发明人:  FUKUZAWA TADASHI;  MATSUMURA HIROYOSHI
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Optical semiconductor integrated device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1988064384A, 申请日期: 1988-03-22, 公开日期: 1988-03-22
发明人:  MATSUEDA HIDEAKI;  FUKUZAWA TADASHI
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Semiconductor laser 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP0177221A3, 申请日期: 1987-09-30, 公开日期: 1987-09-30
发明人:  FUKUZAWA, TADASHI;  MATSUMURA, HIROYOSHI;  TSUJI, SHINJI;  NAKAMURA, HITOSHI;  HIRUMA, KENJI
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