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Method for design of epitaxial layer and substrate structures for high-quality epitaxial growth on lattice-mismatched substrates 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20010042503A1, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2001-11-22
发明人:  LO, YU-HWA;  EJECKMAN, FELIX;  ZHU, ZUHUA
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