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Method of forming laser mesa by reactive ion etching followed by in situ etching in regrowth reactor 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: GB2411520A, 申请日期: 2005-08-31, 公开日期: 2005-08-31
发明人:  DANIELE, BERTONE;  SIMONE, CODATO;  ROBERTA, CAMPI
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