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Quantum-well diode laser 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5251225, 申请日期: 1993-10-05, 公开日期: 1993-10-05
发明人:  EGLASH, STEPHEN J.;  CHOI, HONG K.
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Reliable AlInGaAs/AlGaAs strained-layer diode lasers 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5216684, 申请日期: 1993-06-01, 公开日期: 1993-06-01
发明人:  WANG, CHRISTINE A.;  WALPOLE, JAMES N.;  CHOI, HONG K.;  DONNELLY, JOSEPH P.
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