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System and method for fabricating efficient semiconductor lasers via use of precursors having a direct bond between a group III atom and a nitrogen atom 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6934312, 申请日期: 2005-08-23, 公开日期: 2005-08-23
发明人:  TAKEUCHI, TETSUYA;  TAN, MICHAEL;  CHANG, YING-IAN
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