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Herstellungsverfahren eines planaren einmodigen Quantum-well-halbleiterlaser mit Austrittsfenster und Strombegrenzung 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: DE69411493D1, 申请日期: 1998-08-13, 公开日期: 1998-08-13
发明人:  BEHFAR-RAD ABBAS WAPPINGERS FALLS NEW YORK 12590 US;  MEIER HEINZ PETER CH-8800 THALWIL CH;  HARDER CHRISTOPH STEPHEN CH-8038 ZURICH CH
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