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| Multiple quantum well negative resistance element and bistable light emitting element 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1988292683A, 申请日期: 1988-11-29, 公开日期: 1988-11-29
发明人: KAWAMURA YUICHI; WAKITA KOICHI; ASAHI HAJIME; KURUMADA KATSUHIKO; OE KUNISHIGE
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| Optical and electronic integrated circuit and manufacture thereof 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1987274790A, 申请日期: 1987-11-28, 公开日期: 1987-11-28
发明人: HASUMI YUJI; TENMIYO JIRO; ASAHI HAJIME; YUKIMAE ATSUO
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| Semiconductor laser 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1987274682A, 申请日期: 1987-11-28, 公开日期: 1987-11-28
发明人: ASAHI HAJIME; TANAKA HIDENAO; KAWAMURA YUICHI; WAKITA KOICHI; NOJIMA SHUNJI
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| Optical-electronic integrated circuit and manufacture thereof 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1987264661A, 申请日期: 1987-11-17, 公开日期: 1987-11-17
发明人: HASUMI YUJI; TENMIYO JIRO; ASAHI HAJIME; KOUMAE ATSUO
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| Optical-electronic integrated circuit and manufacture thereof 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1987264660A, 申请日期: 1987-11-17, 公开日期: 1987-11-17
发明人: HASUMI YUJI; TENMIYO JIRO; ASAHI HAJIME; KOUMAE ATSUO
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| Manufacture of semiconductor light emitting element 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1987229990A, 申请日期: 1987-10-08, 公开日期: 1987-10-08
发明人: KAWAMURA YUICHI; WAKITA KOICHI; ITAYA YOSHIO; YOSHIKUNI YUZO; ASAHI HAJIME
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| Semiconductor device and manufacture thereof 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1987229892A, 申请日期: 1987-10-08, 公开日期: 1987-10-08
发明人: HASUMI YUJI; TENMIYO JIRO; ASAHI HAJIME; KOUMAE ATSUO
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| Semiconductor laser 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1987024681A, 申请日期: 1987-02-02, 公开日期: 1987-02-02
发明人: TANAKA HIDENAO; ASAHI HAJIME
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| Impurity introduction process by ion implantation 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1986280616A, 申请日期: 1986-12-11, 公开日期: 1986-12-11
发明人: NOJIMA SHUNJI; ASAHI HAJIME; KOUMAE ATSUO
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| Semiconductor laser 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1986271887A, 申请日期: 1986-12-02, 公开日期: 1986-12-02
发明人: YOSHIKUNI YUZO; KAWAMURA YUICHI; WAKITA KOICHI; TENMIYO JIRO; ASAHI HAJIME; KOUMAE ATSUO
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