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半導体光素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4813009B2, 申请日期: 2011-09-02, 公开日期: 2011-11-09
发明人:  川崎 和重;  鴫原 君男
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4422806B2, 申请日期: 2009-12-11, 公开日期: 2010-02-24
发明人:  鴫原 君男
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4387472B2, 申请日期: 2009-10-09, 公开日期: 2009-12-16
发明人:  鴫原 君男
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半导体光电器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100407463C, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2008-07-30
发明人:  原君男;  川崎和重
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008160157A, 申请日期: 2008-07-10, 公开日期: 2008-07-10
发明人:  鴫原 君男
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半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100336274C, 申请日期: 2007-09-05, 公开日期: 2007-09-05
发明人:  鴫原君男
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半導体レーザ素子のスクリーニング方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3923192B2, 申请日期: 2007-03-02, 公开日期: 2007-05-30
发明人:  鴫原 君男
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半导体光电器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1269279C, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2006-08-09
发明人:  原君男;  川崎和重
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2005072488A, 申请日期: 2005-03-17, 公开日期: 2005-03-17
发明人:  鴫原 君男;  川崎 和重
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3318083B2, 申请日期: 2002-06-14, 公开日期: 2002-08-26
发明人:  鴫原 君男
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