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| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102549860B, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2014-10-01
发明人: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司; 住友隆道; 上野昌纪; 池上隆俊; 片山浩二; 中村孝夫
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| 氮化物半导体激光器以及外延基板 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103999305A, 申请日期: 2014-08-20, 公开日期: 2014-08-20
发明人: 京野孝史; 盐谷阳平; 住友隆道; 善积祐介; 上野昌纪; 梁岛克典; 田才邦彦; 中岛博
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| 氮化物半导体发光元件及外延衬底 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102422496B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
发明人: 京野孝史; 盐谷阳平; 秋田胜史; 上野昌纪; 善积祐介; 住友隆道
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| III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102549859B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06
发明人: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 德山慎司; 住友隆道; 上野昌纪; 池上隆俊; 片山浩二; 中村孝夫
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| 氮化物半导体发光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103959580A, 申请日期: 2014-07-30, 公开日期: 2014-07-30
发明人: 京野孝史; 盐谷阳平; 上野昌纪; 梁岛克典; 田才邦彦; 中岛博; 风田川统之
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| III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02
发明人: 善积祐介; 盐谷阳平; 京野孝史; 足立真宽; 秋田胜史; 上野昌纪; 住友隆道; 德山慎司; 片山浩二; 中村孝夫; 池上隆俊
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| GaN基半导体光器件、GaN基半导体光器件的制作方法、外延晶片及GaN基半导体膜的生长方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103560396A, 申请日期: 2014-02-05, 公开日期: 2014-02-05
发明人: 盐谷阳平; 善积祐介; 上野昌纪; 秋田胜史; 京野孝史; 住友隆道; 中村孝夫
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| 氮化物半导体激光器及外延基板 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103493316A, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2014
发明人: 京野孝史; 盐谷阳平; 住友隆道; 善积祐介; 上野昌纪; 梁岛克典; 田才邦彦; 中岛博
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| 光半导体元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103460529A, 申请日期: 2013-12-18, 公开日期: 2013-12-18
发明人: 吉田乔久; 盐谷阳平; 京野孝史; 上野昌纪
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| III族氮化物半导体激光二极管及III族氮化物半导体激光二极管的制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102422497B, 申请日期: 2013-09-18, 公开日期: 2013-09-18
发明人: 盐谷阳平; 善积祐介; 京野孝史; 秋田胜史; 上野昌纪; 住友隆道; 中村孝夫
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