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一种制备GaN:Gd稀磁半导体薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105088184A, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2015-11-25
发明人:  高兴国
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一种制备GaMnN稀磁半导体薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105018902A, 申请日期: 2015-11-04, 公开日期: 2015-11-04
发明人:  高兴国
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