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半導体レーザ製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010129922A, 申请日期: 2010-06-10, 公开日期: 2010-06-10
发明人:  長沼 香
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半導体レーザモジュールおよび投射型表示装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009283778A, 申请日期: 2009-12-03, 公开日期: 2009-12-03
发明人:  若林 和弥;  長沼 香;  今西 大介
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レーザモジュール 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009158645A, 申请日期: 2009-07-16, 公开日期: 2009-07-16
发明人:  滝口 由朗;  長沼 香
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レーザモジュール 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009158644A, 申请日期: 2009-07-16, 公开日期: 2009-07-16
发明人:  長沼 香
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半導体レーザ装置および表示装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008311556A, 申请日期: 2008-12-25, 公开日期: 2008-12-25
发明人:  滝口 幹夫;  長沼 香;  滝口 由朗;  若林 和弥
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半導体レーザ素子の製造方法および半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008288256A, 申请日期: 2008-11-27, 公开日期: 2008-11-27
发明人:  長沼 香
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008283064A, 申请日期: 2008-11-20, 公开日期: 2008-11-20
发明人:  若林 和弥;  長沼 香;  今西 大介;  滝口 幹夫
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発光装置および画像出力装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008244427A, 申请日期: 2008-10-09, 公开日期: 2008-10-09
发明人:  内田 裕行;  長沼 香;  若林 和弥;  古川 昭夫;  滝口 幹夫;  中島 博
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