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用于半导体激光器的驱动电路 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN206947728U, 申请日期: 2018-01-30, 公开日期: 2018-01-30
发明人:  焦运才;  王国芳;  林滨;  吴杰;  郑锐
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用于半导体激光器的驱动电路 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106711757A, 申请日期: 2017-05-24, 公开日期: 2017-05-24
发明人:  焦运才;  王国芳;  林滨;  吴杰;  郑锐
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一种n型衬底激光二极管的制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103594930B, 申请日期: 2017-03-29, 公开日期: 2017-03-29
发明人:  丛国芳
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一种p型衬底激光二极管的制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103594926B, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2016-08-17
发明人:  丛国芳
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一种p型外延衬底激光二极管 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103594928B, 申请日期: 2016-05-18, 公开日期: 2016-05-18
发明人:  丛国芳
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一种n型衬底激光二极管 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103594927B, 申请日期: 2016-03-02, 公开日期: 2016-03-02
发明人:  丛国芳
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一种n型外延衬底激光二极管的制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103594921B, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2015-11-25
发明人:  丛国芳
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一种p型外延衬底激光二极管的制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103594922B, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2015-11-25
发明人:  丛国芳
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一种p型衬底激光二极管 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103594925A, 申请日期: 2014-02-19, 公开日期: 2014-02-19
发明人:  丛国芳
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一种n型外延衬底激光二极管 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103594929A, 申请日期: 2014-02-19, 公开日期: 2014-02-19
发明人:  丛国芳
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