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半導体光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008282975A, 申请日期: 2008-11-20, 公开日期: 2008-11-20
发明人:  須郷 満;  竹下 達也;  伊賀 龍三;  近藤 康洋
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光増幅素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008034882A, 申请日期: 2008-02-14, 公开日期: 2008-02-14
发明人:  柴田 泰夫;  布谷 伸浩;  東盛 裕一;  近藤 康洋;  須郷 満
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光増幅素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006080377A, 申请日期: 2006-03-23, 公开日期: 2006-03-23
发明人:  柴田 泰夫;  布谷 伸浩;  東盛 裕一;  近藤 康洋;  須郷 満
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光機能素子、これを含む光集積素子およびそれらの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3421999B2, 申请日期: 2003-04-25, 公开日期: 2003-06-30
发明人:  中尾 正史;  近藤 康洋;  岡安 雅信;  永沼 充;  鈴木 安弘;  湯田 正宏;  三冨 修;  笠谷 和生;  中野 純一;  横山 清行
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埋め込み構造半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3249987B2, 申请日期: 2001-11-16, 公开日期: 2002-01-28
发明人:  近藤 康洋
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埋込み構造半導体レーザの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3132054B2, 申请日期: 2000-11-24, 公开日期: 2001-02-05
发明人:  近藤 康洋
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埋め込み構造半導体レーザとその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3038424B2, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-05-08
发明人:  近藤 康洋;  中尾 正史;  岡安 雅信
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光結合デバイスおよび光結合方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3006666B2, 申请日期: 1999-11-26, 公开日期: 2000-02-07
发明人:  三冨 修;  東盛 裕一;  近藤 康洋;  界 義久;  須崎 泰正
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DFB半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2879083B2, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-04-05
发明人:  斎藤 秀穂;  近藤 康洋
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光結合デバイス 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997243843A, 申请日期: 1997-09-19, 公开日期: 1997-09-19
发明人:  近藤 康洋;  三冨 修;  須崎 泰正
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