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半導体レーザ素子用エージング装置および半導体レーザ素子の試験方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009302263A, 申请日期: 2009-12-24, 公开日期: 2009-12-24
发明人:  辻 亮
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光拾取装置、可用于该装置的半导体激光装置和外壳 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100477417C, 申请日期: 2009-04-08, 公开日期: 2009-04-08
发明人:  筱原久幸;  辻亮;  伊藤隆;  西山伸宏
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2004047890A, 申请日期: 2004-02-12, 公开日期: 2004-02-12
发明人:  辻 亮
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半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3410655B2, 申请日期: 2003-03-20, 公开日期: 2003-05-26
发明人:  市川 英樹;  辻 亮
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半導体レーザ装置及びそれを備えた光ピックアップ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002298397A, 申请日期: 2002-10-11, 公开日期: 2002-10-11
发明人:  辻 亮
Adobe PDF(48Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/12/31
多波長半導体レーザ用バーンイン装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2002033542A, 申请日期: 2002-01-31, 公开日期: 2002-01-31
发明人:  辻 亮
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半导体激光器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1065672C, 申请日期: 2001-05-09, 公开日期: 2001-05-09
发明人:  增井克荣;  宫内伸幸;  谷善平;  竹川浩;  辻亮;  小川胜;  盐本武弘
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半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001036180A, 申请日期: 2001-02-09, 公开日期: 2001-02-09
发明人:  辻 亮
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999284098A, 申请日期: 1999-10-15, 公开日期: 1999-10-15
发明人:  辻 亮
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半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998335746A, 申请日期: 1998-12-18, 公开日期: 1998-12-18
发明人:  辻 亮
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