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モノリシック多波長レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4326297B2, 申请日期: 2009-06-19, 公开日期: 2009-09-02
发明人:  辰巳 正毅
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4284126B2, 申请日期: 2009-03-27, 公开日期: 2009-06-24
发明人:  和田 一彦;  森本 泰司;  宮嵜 啓介;  上田 禎亮;  辰巳 正毅
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单片多波长激光器件及其制造该器件的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1280960C, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2006-10-18
发明人:  辰巳正毅
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半导体激光器装置及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1241306C, 申请日期: 2006-02-08, 公开日期: 2006-02-08
发明人:  森本泰司;  宫崎启介;  辰巳正毅;  和田一彦;  上田祯亮
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半导体激光元件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1705178A, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2005-12-07
发明人:  和田一彦;  宫嵜启介;  森本泰司;  辰巳正毅;  上田祯亮
Adobe PDF(1221Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2020/01/18
半导体激光器设备及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1501557A, 申请日期: 2004-06-02, 公开日期: 2004-06-02
发明人:  上田祯亮;  宫嵜启介;  和田一彦;  辰巳正毅;  森本泰司
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半導体発光素子及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999274644A, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-10-08
发明人:  辰巳 正毅;  松本 晃広
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999068226A, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09
发明人:  辰巳 正毅
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998135567A, 申请日期: 1998-05-22, 公开日期: 1998-05-22
发明人:  辰巳 正毅;  松本 晃広
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半導体レーザ装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997069667A, 申请日期: 1997-03-11, 公开日期: 1997-03-11
发明人:  斉藤 肇;  辰巳 正毅
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