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制造发光器件的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1610135B, 申请日期: 2012-04-25, 公开日期: 2012-04-25
发明人:  李庭旭;  成演准;  赵济熙;  白好善
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半导体发光二极管及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100403557C, 申请日期: 2008-07-16, 公开日期: 2008-07-16
发明人:  赵济熙;  金显秀
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脊形波导半导体激光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1217456C, 申请日期: 2005-08-31, 公开日期: 2005-08-31
发明人:  郭准燮;  赵济熙
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用于控制载流子内流路径的宽度的半导体激光二极管 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1208885C, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2005-06-29
发明人:  赵济熙;  郭准燮
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