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氮化物半导体衬底及器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100492687C, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
发明人:  清久裕之;  中村修二;  小崎德也;  岩佐成人;  蝶蝶一幸
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氮化物半导体的生长方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1159750C, 申请日期: 2004-07-28, 公开日期: 2004-07-28
发明人:  清久裕之;  中村修二;  小崎德也;  岩佐成人;  蝶蝶一幸
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