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III-V族化合物半導体膜の形成方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994069129A, 申请日期: 1994-03-11, 公开日期: 1994-03-11
发明人:  武部 敏彦;  藤井 元忠;  山本 悌二;  藤田 和久;  小林 規矩男
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