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半导体激光元件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100449888C, 申请日期: 2009-01-07, 公开日期: 2009-01-07
发明人:  落合真尚;  汤浅功治
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半导体激光器元件及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1254893C, 申请日期: 2006-05-03, 公开日期: 2006-05-03
发明人:  古川佳彦;  岛田诚;  木内章喜;  落合真尚;  妹尾雅之
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半导体元件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1233077C, 申请日期: 2005-12-21, 公开日期: 2005-12-21
发明人:  杉本康宜;  落合真尚;  米田章法
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半导体元件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1233077C, 申请日期: 2005-12-21, 公开日期: 2005-12-21
发明人:  杉本康宜;  落合真尚;  米田章法
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2004072072A, 申请日期: 2004-03-04, 公开日期: 2004-03-04
发明人:  梅本 整;  松村 拓明;  落合 真尚
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