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半導体レーザ及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3718129B2, 申请日期: 2005-09-09, 公开日期: 2005-11-16
发明人:  長島 靖明;  篠根 克典;  菊川 知之
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半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3525257B1, 申请日期: 2004-02-27, 公开日期: 2004-05-10
发明人:  長島 靖明;  下瀬 佳治;  山田 敦史;  菊川 知之
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3481458B2, 申请日期: 2003-10-10, 公开日期: 2003-12-22
发明人:  森 浩;  長島 靖明;  金谷 康宏;  菊川 知之;  中野 好典
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分布帰還型半導体レーザ及び単一モード光源 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999317564A, 申请日期: 1999-11-16, 公开日期: 1999-11-16
发明人:  東門 領一;  森 浩;  高橋 良夫;  菊川 知之
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分布帰還型半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995106697A, 申请日期: 1995-04-21, 公开日期: 1995-04-21
发明人:  東門 領一;  菊川 知之
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1995038198A, 申请日期: 1995-02-07, 公开日期: 1995-02-07
发明人:  菊川 知之;  川面 英司;  吉田谷 弘明
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半導体レーザ共振器面の保護膜形成方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994204616A, 申请日期: 1994-07-22, 公开日期: 1994-07-22
发明人:  川面 英司;  菊川 知之
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1993090706A, 申请日期: 1993-04-09, 公开日期: 1993-04-09
发明人:  菊川 知之;  川面 英司
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