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一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101820134A, 申请日期: 2010-09-01, 公开日期: 2010-09-01
发明人:  胡理科;  熊聪;  祁琼;  王冠;  马骁宇;  刘素平
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半导体激光器热沉管道 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201048241Y, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2008-04-16
发明人:  王大拯;  王翠鸾;  仲莉;  韩淋;  崇峰;  史慧玲;  王冠;  胡理科;  刘素平;  马骁宇
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