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Ⅲ族氮化物晶体衬底、包含外延层的Ⅲ族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102666945A, 申请日期: 2012-09-12, 公开日期: 2012-09-12
发明人:  石桥惠二;  善积祐介;  美浓部周吾
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