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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010034137A, 申请日期: 2010-02-12, 公开日期: 2010-02-12
发明人:  田中 智毅;  細田 昌宏;  宮嵜 啓介
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000138412A, 申请日期: 2000-05-16, 公开日期: 2000-05-16
发明人:  細田 昌宏
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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2944312B2, 申请日期: 1999-06-25, 公开日期: 1999-09-06
发明人:  角田 篤勇;  ▲高▼橋 向星;  細田 昌宏;  菅 康夫;  谷 健太郎
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半導体装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2916037B2, 申请日期: 1999-04-16, 公开日期: 1999-07-05
发明人:  高橋 向星;  細田 昌宏;  菅 康夫;  角田 篤勇;  谷 健太郎;  松井 完益
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半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998144996A, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-05-29
发明人:  須山 尚宏;  近藤 雅文;  佐々木 和明;  高橋 向星;  細田 昌宏;  早川 利郎
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半導体レーザ素子およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2763781B2, 申请日期: 1998-03-27, 公开日期: 1998-06-11
发明人:  須山 尚宏;  近藤 雅文;  佐々木 和明;  高橋 向星;  細田 昌宏;  早川 利郎
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AlGaInP系半導体発光装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2708992B2, 申请日期: 1997-10-17, 公开日期: 1998-02-04
发明人:  菅 康夫;  高橋 向星;  細田 昌宏;  角田 篤勇;  谷 健太郎
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AlGaInP系半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2682906B2, 申请日期: 1997-08-08, 公开日期: 1997-11-26
发明人:  菅 康夫;  高橋 向星;  細田 昌宏;  角田 篤勇;  谷 健太郎;  松井 完益
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半導体レーザ素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2664794B2, 申请日期: 1997-06-20, 公开日期: 1997-10-22
发明人:  角田 篤勇;  ▲高▼橋 向星;  細田 昌宏;  須山 尚宏;  松井 完益
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半導体レ—ザ素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2537295B2, 申请日期: 1996-07-08, 公开日期: 1996-09-25
发明人:  高橋 向星;  細田 昌宏;  角田 篤勇;  須山 尚宏;  松井 完益
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