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具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1162919C, 申请日期: 2004-08-18, 公开日期: 2004-08-18
发明人:  只友一行;  宫下启二;  冈川広明;  平松和政;  大内洋一郎;  泽木宣彦;  矢桥胜典;  柴田巧
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