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半導体電界吸収型変調器およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2004319851A, 申请日期: 2004-11-11, 公开日期: 2004-11-11
发明人:  赤毛 勇一;  深野 秀樹;  斉藤 正
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999261154A, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-09-24
发明人:  深野 秀樹;  野口 悦男;  近藤 進
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半導体受光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999168224A, 申请日期: 1999-06-22, 公开日期: 1999-06-22
发明人:  深野 秀樹
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998321960A, 申请日期: 1998-12-04, 公开日期: 1998-12-04
发明人:  深野 秀樹
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997083059A, 申请日期: 1997-03-28, 公开日期: 1997-03-28
发明人:  深野 秀樹;  横山 清行
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半導体光導波路およびその作製方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1997061652A, 申请日期: 1997-03-07, 公开日期: 1997-03-07
发明人:  岡本 稔;  深野 秀樹;  東盛 裕一
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