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制造氮化物半导体的装置和方法及获得的半导体激光器件 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1758419A, 申请日期: 2006-04-12, 公开日期: 2006-04-12
发明人:  荒木正浩;  山田英司;  汤浅贵之;  津田有三;  阿久津仲男
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