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ZnSe系化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000307150A, 申请日期: 2000-11-02, 公开日期: 2000-11-02
发明人:  片山 浩二;  三枝 明彦;  松原 秀樹;  武部 敏彦
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III-V族化合物半導体成長膜の伝導型制御方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2509006B2, 申请日期: 1996-04-16, 公开日期: 1996-06-19
发明人:  武部 敏彦;  藤井 元忠;  山本 悌二;  繁田 光浩;  小林 規矩男;  藤本 勲
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面発光素子とその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995079183B2, 申请日期: 1995-08-23, 公开日期: 1995-08-23
发明人:  藤井 元忠;  山本 悌二;  繁田 光浩;  武部 敏彦;  小林 規矩男;  藤本 勲
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III-V族化合物半導体膜の形成方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1994069129A, 申请日期: 1994-03-11, 公开日期: 1994-03-11
发明人:  武部 敏彦;  藤井 元忠;  山本 悌二;  藤田 和久;  小林 規矩男
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