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化合物半導体のドライエッチング方法および化合物半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000232094A, 申请日期: 2000-08-22, 公开日期: 2000-08-22
发明人:  丹羽 敦子;  後藤 順;  内田 憲治;  五島 滋雄;  高濱 光治;  楊 涛
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