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高密度铟连接半导体激光器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN202025982U, 申请日期: 2011-11-02, 公开日期: 2011-11-02
发明人:  傅高升;  林绍义
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高密度铟连接半导体激光器热沉 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN202025980U, 申请日期: 2011-11-02, 公开日期: 2011-11-02
发明人:  傅高升;  林绍义
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铌合金半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101667712A, 申请日期: 2010-03-10, 公开日期: 2010-03-10
发明人:  傅高升;  林绍义
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